STB33N60M2 دیتاشیت

STB33N60M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB33N60M2
حجم فایل 725.76 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت STB33N60M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ II Plus
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB33N
  • detail: N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه